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现有的单晶炉主要是针对观察窗的，观察窗的结构，增加观察窗的数量等，但对造成观察窗不清晰的挥发物涉猎甚少。颇有些治标不治本的意味。

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利用电脑计算的详尽，用以支持真正的（且昂贵）实验。由于数值模拟了一个近似真实的过程，利用这一技术可以很容易的对任何类型的变化（几何尺寸，保温材料，加热器，环境等）对晶体质量的影响出容易的判断。数值是用来获得廉价的，完整的和细节的结晶过程，以此方法用来预测晶体生长，改善晶体生长技术。举例来说，对于无经验人员，可以形象化展示熔体流动的历史点缺陷和热应力细节。技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法硅单晶的单晶炉剖面示意图，图1-2 中，l为炉筒，2为保温盖，3为保温盖，4为保温材津牛，5为保温罩，6为 加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为护盘，12为氩气输 入管，11为分布有孔11-1的环形气体分布器，13为排气口。名称：直拉式单晶生长炉的方法直拉式单晶生长炉的方法直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入氩气尤其是坩埚 支持器下方的空间较大，导致坩埚支持器下方的混合气体不能及时排出， 热能消耗量较大，另外，现有技术中，从氩气输入管向炉内充入氩气时， 充气气压为1. 3x 103pa，氩气流量为40L/min，因此其氩气消耗量大，生产 成本较高。